RSJ550N10TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RSJ550N10TL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 100V 55A Ta 100W Tc Surface Mount LPTS

得捷:
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

立创商城:
RSJ550N10TL

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

RSJ550N10TL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 55A

输入电容Ciss 6150pF @25VVds

额定功率Max 100 W

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2018/01/15

数据手册

RSJ550N10TL引脚图与封装图

在线购买RSJ550N10TL

型号： RSJ550N10TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V

替代型号RSJ550N10TL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RSJ550N10TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
STP70N10F4 意法半导体	功能相似	RSJ550N10TL和STP70N10F4的区别
STW70N10F4 意法半导体	功能相似	RSJ550N10TL和STW70N10F4的区别
SUP60N10-18P-E3 Vishay Siliconix	功能相似	RSJ550N10TL和SUP60N10-18P-E3的区别