对比图
型号 RSJ550N10TL STP70N10F4 STW70N10F4
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 VN沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKN沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 15 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 100W (Tc) 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
上升时间 - 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 6150pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 150 W 150 W
下降时间 - 20 ns 20 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
针脚数 3 - -
连续漏极电流(Ids) 55A - 65A
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2018/01/15 - -