RJP020N06T100参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJP020N06T100概述

ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V

表面贴装型 N 通道 60 V 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3

立创商城:
N沟道 60V 2A

得捷:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

欧时:
MOSFET,Nch,Vdss=60V,Id=2A,MPT3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin3+Tab MPT T/R

Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V

儒卓力:
**N-CHAN.MOS-FET+ESD 2A 60V MPT3 **

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

RJP020N06T100中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.50 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 165 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 160pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

宽度 2.5 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Power Management, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RJP020N06T100引脚图与封装图

在线购买RJP020N06T100

型号： RJP020N06T100

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V

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替代型号RJP020N06T100

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