对比图
型号 2SK3065T100 RJP020N06T100 2SK3018T106
描述 ROHM 2SK3065T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 250 mohm, 4 V, 800 mVROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 VROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-323
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 30.0 V
额定电流 2.00 A 2.50 A 100 mA
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 250 mΩ 165 mΩ 8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 500 mW 200 mW
阈值电压 800 mV 4.5 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 30 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.50 A 100 mA
上升时间 50 ns 18 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 160pF @10V(Vds) 160pF @10V(Vds) 13pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 500 mW 500 mW 200 mW
下降时间 70 ns 20 ns 80 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 200mW (Ta)
工作温度(Min) 55 ℃ - -
宽度 2.5 mm 2.5 mm -
封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-323
长度 4.5 mm - -
高度 1.5 mm - -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99