晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 28A Ta 3W Ta, 31W Tc Surface Mount 8-HSOP
得捷:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 80 A, 0.002 ohm, HSOP, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.002 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 12.3 ns
输入电容Ciss 2300pF @15VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 31W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
封装 HSOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RS1E280GNTB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RMW280N03TB 罗姆半导体 | 功能相似 | RS1E280GNTB和RMW280N03TB的区别 |