RMW280N03TB和RS1E280GNTB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RMW280N03TB RS1E280GNTB STS30N3LLH6

描述 MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 28A晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.5 VN-channel 30V, 0.0016Ω; , 30A, SO-8 STripFET(TM); VI DeepGATE(TM); Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SMD-8 HSOP-8 SOIC-8

通道数 1 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 2.8 mΩ 0.002 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 3 W 3 W 2.7W (Tc)

阈值电压 - 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 28A -

上升时间 81 ns 12.3 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 3130pF @15V(Vds) 2300pF @15V(Vds) 4040pF @25V(Vds)

下降时间 50 ns 18 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta), 31W (Tc) 2.7W (Tc)

漏源击穿电压 30 V - 30 V

额定功率(Max) 3 W - 2.7 W

封装 SMD-8 HSOP-8 SOIC-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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