RS1G180MNTB

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RS1G180MNTB概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V

RS1G180MN Series 40 V 18 A 19.5 nC Surface Mount N-Channel Power Mosfet - HSOP-8


得捷:
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP


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RS1G180MNTB


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MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 18A


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晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V


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RS1G180MNTB中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 8.9 ns

输入电容Ciss 1293pF @20VVds

下降时间 8.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RS1G180MNTB
型号: RS1G180MNTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号RS1G180MNTB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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