对比图
型号 DMN4009LK3-13 RS1G180MNTB SSP7442N-C
描述 MOSFET N-CH 40V 18A DPAK晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 VPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN AND LEAD FREE, MINIATURE, SOP-8
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Secos
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 8 -
封装 TO-252-3 HSOP-8 -
通道数 - 1 -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 7 mΩ -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 2.19W (Ta) 3 W -
阈值电压 - 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -
漏源击穿电压 - 40 V -
连续漏极电流(Ids) 27.6A 18A -
上升时间 18.5 ns 8.9 ns -
输入电容(Ciss) 2072pF @20V(Vds) 1293pF @20V(Vds) -
下降时间 14.9 ns 8.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.19W (Ta) 3W (Ta), 30W (Tc) -
额定功率(Max) 2.19 W - -
高度 - 1.05 mm -
封装 TO-252-3 HSOP-8 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -