RDN150N20FU6

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RDN150N20FU6概述

Mosfet n-Ch 200V 15A To-220fn

N-Channel 200V 15A Ta 40W Tc Through Hole TO-220FN


得捷:
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FN


贸泽:
MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLTG-10V


ICbanQ:
MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLTG-10V


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN


RDN150N20FU6中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1224pF @10VVds

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RDN150N20FU6
型号: RDN150N20FU6
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Mosfet n-Ch 200V 15A To-220fn
替代型号RDN150N20FU6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RDN150N20FU6

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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RDN150N20

罗姆半导体

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