RDN150N20和RDN150N20FU6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RDN150N20 RDN150N20FU6

描述 开关( 200V , 15A ) Switching (200V, 15A)Mosfet n-Ch 200V 15A To-220fn

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220F-3 TO-220-3

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 15.0 A -

极性 N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A -

上升时间 37.0 ns -

输入电容(Ciss) 1224pF @10V(Vds) 1224pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 40 W -

耗散功率 - 40 W

耗散功率(Max) - 40W (Tc)

封装 TO-220F-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ)

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