CPT N-CH 250V 4A
表面贴装型 N 通道 4A（Ta） 20W（Tc） CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
贸泽:
MOSFET Nch 250V 4A MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 250V 4A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 250V 4A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 410pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RCD040N25TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RCD080N25TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RCD040N25TL和RCD080N25TL的区别 |