RCD040N25TL和RCD080N25TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RCD040N25TL RCD080N25TL

描述 CPT N-CH 250V 4AN 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 20 W 20 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 4A 8A

上升时间 15 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 410pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 20 W 20 W

下降时间 12 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)

漏源极电阻 1 Ω -

漏源击穿电压 250 V -

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 - 6.7 mm

宽度 - 5.8 mm

高度 - 2.5 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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