开关（ 200V ， 10A ） Switching 200V, 10A
N-Channel 200V 10A Ta 35W Tc Through Hole TO-220FN
得捷:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FN Bulk
额定电压DC 200 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
漏源极电阻 360 mΩ
耗散功率 35 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 543pF @10VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 8 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RDN100N20 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRL630PBF Vishay Siliconix | 功能相似 | RDN100N20和IRL630PBF的区别 |