对比图
型号 IRL630PBF RDN100N20 IRL630
描述 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB开关（ 200V ， 10A ） Switching (200V, 10A)MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
耗散功率 74W (Tc) 35 W 74W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 543pF @10V(Vds) 1100pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 74W (Tc) 35W (Tc) 74W (Tc)
额定功率(Max) 74 W 35 W -
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 10.0 A -
漏源极电阻 - 360 mΩ -
漏源击穿电压 - 200 V -
连续漏极电流(Ids) - 15.0 A -
上升时间 - 29 ns -
下降时间 - 26 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
宽度 - 4.5 mm 4.7 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10 mm -
高度 - 8 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead