RM25C256C-LSNI-T

RM25C256C-LSNI-T图片1
RM25C256C-LSNI-T概述

Ic Eeprom 256Kbit 10MHz 8soic

CBRAM 存储器 IC 256kb(64B 页大小) SPI 8-SOIC


得捷:
IC CBRAM 256KBIT SPI 10MHZ 8SOIC


贸泽:
EEPROM 256K 1.65V EEPROM


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 512Pages x 64 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N T/R


RM25C256C-LSNI-T中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 6.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买RM25C256C-LSNI-T
型号: RM25C256C-LSNI-T
描述:Ic Eeprom 256Kbit 10MHz 8soic
替代型号RM25C256C-LSNI-T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RM25C256C-LSNI-T

Adesto Technologies

当前型号

当前型号

RM25C256C-LSNI-B

Adesto Technologies

完全替代

RM25C256C-LSNI-T和RM25C256C-LSNI-B的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台