RN2502TE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN2502TE85L,F概述

SMV PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual Emitter Coupled 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin SMV T/R

Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

RN2502TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-753

外形尺寸

封装 SOT-753

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2502TE85L,F引脚图与封装图

在线购买RN2502TE85L,F

型号： RN2502TE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：SMV PNP 50V 100mA