RSQ035P03FRATR

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RSQ035P03FRATR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 35 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSMT

外形尺寸

封装 TSMT

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: RSQ035P03FRATR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RSQ035P03FRATR  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V 新
替代型号RSQ035P03FRATR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSQ035P03FRATR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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RRL035P03FRATR

罗姆半导体

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