RRL035P03FRATR和RSQ035P03FRATR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RRL035P03FRATR RSQ035P03FRATR RRQ030P03FRATR

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 VROHM  RSQ035P03FRATR  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V 新晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.055 ohm, -10 V, -2.5 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 6 6 -

封装 TUMT-6 TSMT TSMT

安装方式 Surface Mount - -

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.036 Ω 0.045 Ω 0.055 Ω

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 1 W 1.25 W 1.25 W

阈值电压 - 2.5 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 3.5A -

上升时间 9 ns 35 ns -

下降时间 40 ns 25 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容(Ciss) 800pF @10V(Vds) - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1W (Ta) - -

封装 TUMT-6 TSMT TSMT

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - -

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