RN1101MFV

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RN1101MFV概述

RN1101MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A R1=R2=4.7k 增益30 SOT-723/VESM marking/标记 XA 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 4.7KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.15W/150mW Description & Applications | Features Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Ultra-small package, suited to very high density mounting Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly cost. A wide range of resistor values is available for use in various circuits. Complementary to the RN2101MFV 描述与应用 | 特性 开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用 适合非常高密度安装超小型封装, 结合到晶体管偏置电阻器减少部件的数量,所以能够制造比更紧凑设备并降低装配成本。 宽范围的电阻值是可用于在各种电路。 对管是RN2101MFV

RN1101MFV中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1101MFV引脚图与封装图
RN1101MFV引脚图
RN1101MFV封装图
RN1101MFV封装焊盘图
在线购买RN1101MFV
型号: RN1101MFV
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN1101MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A R1=R2=4.7k 增益30 SOT-723/VESM marking/标记 XA 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
替代型号RN1101MFV
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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