RN1101和RN1101MFV

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1101 RN1101MFV DTC143ESA

描述 RN1101 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 4.7k SOT-523/ESM marking/标记 XA 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用RN1101MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A R1=R2=4.7k 增益30 SOT-723/VESM marking/标记 XA 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用数字晶体管(内置电阻) Digital transistors (built-in resistors)

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类

基础参数对比

封装 SOT-523 SOT-723 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

封装 SOT-523 SOT-723 -

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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