RQ6E050AJTCR

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RQ6E050AJTCR概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 1.5 V

表面贴装型 N 通道 5A(Ta) 950mW(Ta) TSMT6(SC-95)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6


贸泽:
MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 1.5 V


RQ6E050AJTCR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

封装 SOT-457-6

外形尺寸

封装 SOT-457-6

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: RQ6E050AJTCR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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