SD2932W

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SD2932W概述

SD2932 系列 250 MHz 300W 125V N-沟道 高频/甚高频/特高频 射频 功率晶体管 - M-244

Amplifying and switching electronic signals in radio frequency environments is easy with this RF amplifier from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 500000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. Its maximum frequency is 250 MHz. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

SD2932W中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

额定电流 40 A

耗散功率 500 W

漏源击穿电压 125 V

输出功率 300 W

增益 16 dB

测试电流 500 mA

输入电容Ciss 480pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500000 mW

额定电压 125 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 M-244

外形尺寸

封装 M-244

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SD2932W
型号: SD2932W
描述:SD2932 系列 250 MHz 300W 125V N-沟道 高频/甚高频/特高频 射频 功率晶体管 - M-244
替代型号SD2932W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SD2932W

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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SD2932

意法半导体

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SD2932W和SD2932的区别

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