SD2932和SD2932W

对比图

型号 SD2932 SD2932W MRF176GV

描述 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETsSD2932 系列 250 MHz 300W 125V N-沟道 高频/甚高频/特高频 射频 功率晶体管 - M-244射频MOSFET线200 / 150W ，为500MHz ， 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com

分类 MOS管晶体管晶体管

安装方式 Flange Surface Mount Flange

引脚数 3 5 -

封装 M-244 M-244 375-04

频率 175 MHz 175 MHz 225 MHz

额定电流 40 A 40 A -

耗散功率 500000 mW 500 W -

漏源击穿电压 125 V 125 V 125V (min)

输出功率 300 W 300 W 200 W

增益 16 dB 16 dB 17 dB

测试电流 500 mA 500 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 480pF @50V(Vds) 480pF @50V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500000 mW 500000 mW -

额定电压 125 V 125 V 125 V

额定电压(DC) 125 V - -

极性 N-Channel - -

输入电容 480 pF - -

漏源极电压(Vds) 125 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 40.0 A - -

封装 M-244 M-244 375-04

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -