













IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立,STMicroelectronics
### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO220
欧时:
### IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
STGP30NC60W 系列 600 V 30 A 超快 IGBT 法兰安装 -TO-220-3
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
DeviceMart:
IGBT N-CHAN 600V 30A TO-220
Win Source:
IGBT 600V 60A 200W TO220
额定电压DC 600 V
额定电流 30.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 12.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STGP30NC60W ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGB30B60KPBF 国际整流器 | 功能相似 | STGP30NC60W和IRGB30B60KPBF的区别 |