STGP100N30参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGP100N30概述

Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 250000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

IGBT - 330 V 90 A 250 W 通孔 TO-220

得捷:
IGBT 330V 90A 250W TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

STGP100N30中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGP100N30

型号： STGP100N30

描述：Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 250000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube