STGBL6NC60DT4

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STGBL6NC60DT4概述

N沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT

IGBT - 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT 600V 14A 56W D2PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 56000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 56000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STGBL6NC60DT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 56000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 56 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 56000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 9.35 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGBL6NC60DT4
型号: STGBL6NC60DT4
描述:N沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT
替代型号STGBL6NC60DT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGBL6NC60DT4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

HGT1S7N60C3DS9A

飞兆/仙童

功能相似

STGBL6NC60DT4和HGT1S7N60C3DS9A的区别

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