对比图
型号 HGT1S7N60C3DS9A STGBL6NC60DT4 STGB7NC60HDT4
描述 IGBT 600V 14A 60W TO263ABN沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBTSTGB7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 PowerMesh IGBT - D2PAK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 14.0 A - 14.0 A
极性 - - N-Channel
耗散功率 60000 mW 56000 mW 25 W
上升时间 - - 8.50 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 37 ns 50 ns 37 ns
额定功率(Max) 60 W 56 W 80 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 56000 mW 80000 mW
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
高度 4.83 mm - -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99