SGP23N60UFTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 23.0 A
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SGP23N60UFTU
型号： SGP23N60UFTU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
替代型号SGP23N60UFTU
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SGP23N60UFTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRGBC30UD2 英飞凌 | 类似代替 | SGP23N60UFTU和IRGBC30UD2的区别 |
IXGP12N60CD1 IXYS Semiconductor | 功能相似 | SGP23N60UFTU和IXGP12N60CD1的区别 |