对比图
型号 IXGP12N60CD1 SGP23N60UFTU HGTP12N60A4D
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220ABIGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTP12N60A4D 单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 23.0 A 54.0 A
耗散功率 100000 mW 100 W 167 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 100 W 100 W 167 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100000 mW 100 W 167000 mW
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
上升时间 - - 8 ns
反向恢复时间 35 ns - 30 ns
下降时间 - - 18 ns
长度 10.66 mm 10.67 mm 10.28 mm
宽度 4.83 mm 4.7 mm 4.57 mm
高度 9.15 mm 9.4 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99