STGFW20V60F

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STGFW20V60F概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52000mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-3PF


得捷:
IGBT 600V 40A 52W TO3PF


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-3PF Tube


富昌:
STGFW20V60F: 600 V 40 A Very High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube


STGFW20V60F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 52000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 52 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGFW20V60F
型号: STGFW20V60F
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52000mW 3Pin3+Tab TO-3pF Tube

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