SD2933-03

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SD2933-03概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic

RF Mosfet N-Channel 50V 250mA 30MHz 23.5dB 300W M177


得捷:
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-177 Loose


SD2933-03中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

耗散功率 648 W

输出功率 300 W

增益 23.5 dB

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 648000 mW

额定电压 125 V

封装参数

引脚数 5

封装 M-177

外形尺寸

封装 M-177

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SD2933-03
型号: SD2933-03
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
替代型号SD2933-03
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SD2933-03

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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意法半导体

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SD2933-03和SD2933-03W的区别

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