对比图
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管
引脚数 5 -
封装 M-177 -
频率 30 MHz -
耗散功率 648 W -
输出功率 300 W -
增益 23.5 dB -
测试电流 250 mA -
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) -
工作温度(Max) 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 648000 mW -
额定电压 125 V -
封装 M-177 -
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -