SOT-23 PNP 32V 0.1A
Bipolar BJT Transistor PNP 32V 100mA 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
立创商城:
SBCW30LT1G
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SILICON TRANSISTOR PLAST
艾睿:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 215 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SBCW30LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW30LT1G 安森美 | 类似代替 | SBCW30LT1G和BCW30LT1G的区别 |