BCW30LT1G和SBCW30LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW30LT1G SBCW30LT1G BC858B-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW30LT1G  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFESOT-23 PNP 32V 0.1ADIODES INC.  BC858B-7-F  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - - 200 MHz

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.3 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 215 - 330

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 350 mW

额定电压(DC) -32.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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