SMUN5231DW1T1G概述
MUN5231DW1: 双 NPN 偏置电阻晶体管 BRT
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
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SMUN5231DW1T1G
得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88
SMUN5231DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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