SI2374DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 23 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.45 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI2374DS-T1-GE3引脚图与封装图 
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替代型号SI2374DS-T1-GE3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2374DS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
TN0200K-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI2374DS-T1-GE3和TN0200K-T1-E3的区别 |