对比图
型号 SI2374DS-T1-GE3 TN0200K-T1-E3
描述 Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3Pin TO-236 T/RVISHAY TN0200K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23
漏源极电阻 0.025 Ω 0.4 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.7 W 350 mW
阈值电压 1 V 600 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
上升时间 23 ns -
下降时间 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3
连续漏极电流(Ids) - 730 mA
长度 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.6 mm -
高度 1.45 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -