SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G图片1
SNSS20101JT1G图片2
SNSS20101JT1G图片3
SNSS20101JT1G图片4
SNSS20101JT1G概述

SC-89 NPN 20V 2A

Bipolar BJT Transistor NPN 20V 1A 350MHz 225mW Surface Mount SC-89-3


得捷:
TRANS NPN 20V 1A SC89-3


立创商城:
SNSS20101JT1G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCESAT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 2A 3-Pin SC-89 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 2A T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 20V 2A 300mW 3-Pin SC-89 T/R


SNSS20101JT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 350 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89-3

外形尺寸

封装 SC-89-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SNSS20101JT1G
型号: SNSS20101JT1G
描述:SC-89 NPN 20V 2A
替代型号SNSS20101JT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SNSS20101JT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NSS20101JT1G

安森美

类似代替

SNSS20101JT1G和NSS20101JT1G的区别

NSV20101JT1G

安森美

类似代替

SNSS20101JT1G和NSV20101JT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台