SI6928DQ

SI6928DQ图片1
SI6928DQ中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 10 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI6928DQ
型号: SI6928DQ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双30V N沟道PowerTrench MOSFET的 Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号SI6928DQ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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