对比图
型号 NTGS4111PT1G SI6928DQ NTGS4111PT1
描述 ON SEMICONDUCTOR NTGS4111PT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP双30V N沟道PowerTrench MOSFET的 Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 - -
封装 SOT-23-6 TSSOP-8 SOT-23-6
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -4.70 A - -3.70 A
通道数 1 - -
针脚数 6 - -
漏源极电阻 60 mΩ 35.0 mΩ 68.0 mΩ
极性 P-Channel N-Channel P-Channel
耗散功率 1.25 W 1.3 W 630mW (Ta)
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.00 A 3.70 A
输入电容(Ciss) 750pF @15V(Vds) - 750pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 630 mW - -
下降时间 22 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 630mW (Ta) - 630mW (Ta)
上升时间 - 10 ns -
输入电容 - - 750 pF
栅电荷 - - 32.0 nC
长度 3.1 mm - -
宽度 1.5 mm - -
高度 1 mm - -
封装 SOT-23-6 TSSOP-8 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -