SI4410DY,518参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4410DY,518概述

SO N-CH 30V 10A

表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Tj） 2.5W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8SO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

SI4410DY,518中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 9 ns

额定功率Max 2.5 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4410DY,518

型号： SI4410DY,518

制造商： NXP 恩智浦

描述：SO N-CH 30V 10A

替代型号SI4410DY,518

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4410DY,518 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
SI4410DYTRPBF 英飞凌	功能相似	SI4410DY,518和SI4410DYTRPBF的区别
SI4410DYPBF 英飞凌	功能相似	SI4410DY,518和SI4410DYPBF的区别
SI4384DY-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4410DY,518和SI4384DY-T1-E3的区别