对比图
型号 SI4410DYPBF SI4410DY,518 SI4410DY
描述 N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。SO N-CH 30V 10ATrans MOSFET N-CH 30V 10A 8Pin SOIC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 10.0 A
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 10A 10A 10.0 A
上升时间 7.7 ns 9 ns 7.70 ns
输入电容(Ciss) 1585pF @15V(Vds) - 1585pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
极性 N-Channel N-CH -
下降时间 44 ns 30 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率(Max) - 2.5 W -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead