SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB11N60C3ATMA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON SPB11N60C3ATMA1 Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
输入电容 1200 pF
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB11N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
R6011KNJTL 罗姆半导体 | 功能相似 | SPB11N60C3ATMA1和R6011KNJTL的区别 |