R6011KNJTL和SPB11N60C3ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R6011KNJTL SPB11N60C3ATMA1 STB13NM60N

描述 ROHM  R6011KNJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 11.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.34 Ω 0.34 Ω 0.28 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 124 W 125 W 90 W

阈值电压 5 V 3 V 3 V

输入电容 - 1200 pF -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A 11.0 A 11A

上升时间 25 ns 5 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds)

下降时间 20 ns 5 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 124W (Tc) 125 W 90W (Tc)

额定功率(Max) - - 90 W

长度 - 10.31 mm 10.75 mm

宽度 - 9.45 mm 10.4 mm

高度 - 4.57 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

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