INFINEON SPB07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
SPB07N60 - COOLMOS, 7.3A, 600V N
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB07N60C3ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON SPB07N60C3ATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
SPB07N60 - COOLMOS, 7.3A, 600V N
额定电压DC 650 V
额定电流 7.30 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.572 mm
封装 TO-263
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SPB07N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
R6007KNJTL 罗姆半导体 | 功能相似 | SPB07N60C3ATMA1和R6007KNJTL的区别 |
IPB60R360P7ATMA1 英飞凌 | 功能相似 | SPB07N60C3ATMA1和IPB60R360P7ATMA1的区别 |