SPB07N60C3ATMA1

SPB07N60C3ATMA1图片1
SPB07N60C3ATMA1图片2
SPB07N60C3ATMA1图片3
SPB07N60C3ATMA1图片4
SPB07N60C3ATMA1图片5
SPB07N60C3ATMA1概述

INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
SPB07N60 - COOLMOS, 7.3A, 600V N


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB07N60C3ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
SPB07N60 - COOLMOS, 7.3A, 600V N


SPB07N60C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.572 mm

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPB07N60C3ATMA1
型号: SPB07N60C3ATMA1
描述:INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPB07N60C3ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPB07N60C3ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

R6007KNJTL

罗姆半导体

功能相似

SPB07N60C3ATMA1和R6007KNJTL的区别

IPB60R360P7ATMA1

英飞凌

功能相似

SPB07N60C3ATMA1和IPB60R360P7ATMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台