对比图
型号 R6007KNJTL SPB07N60C3ATMA1 SPB07N60C3
描述 ROHM R6007KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 5 V 新INFINEON SPB07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
额定电压(DC) - 650 V 650 V
额定电流 - 7.30 A 7.30 A
额定功率 - - 83 W
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.57 Ω 0.54 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 78 W 83 W 83 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 7A 7.30 A 7.30 A
上升时间 22 ns 3.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 83 W
下降时间 25 ns 7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 78W (Tc) 83 W 83W (Tc)
漏源击穿电压 600 V - -
长度 - 10.31 mm 10.31 mm
宽度 - 9.45 mm 9.25 mm
高度 - 4.572 mm 4.572 mm
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17