N沟道30V - 0.0032ヘ - 25 A - SO- 8 STripFET⑩ III功率MOSFET的DC / DC转换 N-channel 30V - 0.0032ヘ - 25 A - SO-8 STripFET⑩ III Power MOSFET for DC/DC conversion
N-Channel 30V 25A Tc 3.2W Tc Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 25 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin SO N T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 25.0 A
通道数 1
漏源极电阻 3.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4450pF @25VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.2W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STS25NH3LL ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STS25N3LLH6 意法半导体 | 功能相似 | STS25NH3LL和STS25N3LLH6的区别 |