STS25N3LLH6和STS25NH3LL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STS25N3LLH6 STS25NH3LL

描述 SO N-CH 30V 22AN沟道30V - 0.0032ヘ - 25 A - SO- 8 STripFET⑩ III功率MOSFET的DC / DC转换 N-channel 30V - 0.0032ヘ - 25 A - SO-8 STripFET⑩ III Power MOSFET for DC/DC conversion

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SO SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 25.0 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 3.2 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 3.2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

栅源击穿电压 - ±18.0 V

连续漏极电流(Ids) 22A 25.0 A

上升时间 - 50 ns

输入电容(Ciss) - 4450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.2 W

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 3.2W (Tc)

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.65 mm

封装 SO SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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