光电晶体管 .32mAPHOTOTRANSISTOR IR COMPONENT 20 deg
935nm 侧视图 径向
得捷:
SENSOR PHOTO 935NM SIDE VIEW RAD
贸泽:
光电晶体管 .32mAPHOTOTRANSISTOR IR COMPONENT 20 deg
艾睿:
No Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
MASTER:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Powell:
Sensors, Infrared Sensors, Reflective
Online Components:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Electro Sonic:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Win Source:
SENSOR PHOTO 935NM SIDE VIEW RAD / Phototransistors 935nm Side View Radial
输出电流 ≤6.00 mA
波长 935 nm
视角 20°
峰值波长 935 nm
耗散功率 70 mW
上升时间 15000 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 15000 ns
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 4.45 mm
宽度 2.28 mm
高度 5.72 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541407080