SI3407DV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3407DV-T1-E3概述

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

表面贴装型 P 通道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP

得捷:
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

贸泽:
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

SI3407DV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta, 4.2W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1670pF @10VVds

耗散功率Max 2W Ta, 4.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3407DV-T1-E3

型号： SI3407DV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

替代型号SI3407DV-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI3407DV-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

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